國產(chǎn)SiC(碳化硅)MOSFET分立器件及功率模塊專業(yè)制造商-基半股份BASiC一級代理商全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展！

為什么在儲能變流器PCS應(yīng)用中碳化硅SiC模塊全面革掉IGBT模塊的命！

儲能變流器（Power Conversion System）英文簡稱PCS，可控制蓄電池的充電和放電過程，進(jìn)行交直流的變換，在無電網(wǎng)情況下可以直接為交流負(fù)荷供電。 儲能變流器PCS由DC/AC 雙向變流器、控制單元等構(gòu)成。 根據(jù)功率指令的符號及大小控制變流器對電池進(jìn)行充電或放電，實現(xiàn)對電網(wǎng)有功功率及無功功率的調(diào)節(jié)。PCS儲能變流器，全稱Power Conversion System，是儲能系統(tǒng)中的關(guān)鍵設(shè)備，用于實現(xiàn)儲能電池與電網(wǎng)之間的能量轉(zhuǎn)換和雙向流動。它能夠?qū)⒅绷麟娹D(zhuǎn)換為交流電或?qū)⒔涣麟娹D(zhuǎn)換為直流電，以滿足電網(wǎng)對儲能系統(tǒng)的充放電需求。PCS儲能變流器在儲能系統(tǒng)中扮演著“橋梁”的角色，連接著儲能電池和電網(wǎng)，確保儲能系統(tǒng)的高效、穩(wěn)定運行。

PCS儲能變流器的應(yīng)用場景

1.能量時移：在用戶側(cè)儲能系統(tǒng)中，PCS儲能變流器可以用于能量時移，將白天時段內(nèi)光伏多余的發(fā)電量儲存起來，在晚上或者陰雨天氣無光伏發(fā)電量的時段內(nèi)再通過PCS釋放出來，可以實現(xiàn)光伏發(fā)電的最大化自發(fā)自用。

2.峰谷套利：在用戶側(cè)儲能系統(tǒng)中，尤其是執(zhí)行分時電價的工商業(yè)園區(qū)，PCS儲能變流器可用于進(jìn)行峰谷套利，通過在電價低廉的時間段進(jìn)行充電，在電價高昂的時間段進(jìn)行放電，實現(xiàn)低充高放進(jìn)行套利，達(dá)到節(jié)省園區(qū)整體用電成本的目的。

3.動態(tài)擴(kuò)容：在電力容量受限的場景，類似電動汽車充電站場景，通過PCS儲能變流器配置儲能電池來進(jìn)行動態(tài)擴(kuò)容，充電高峰時候，PCS儲能變流器進(jìn)行放電，提供額外的功率支持；充電低峰時，PCS儲能變流器進(jìn)行充電，儲存低價的電能進(jìn)行備用，既能實現(xiàn)峰谷套利，又能給充電場站進(jìn)行動態(tài)擴(kuò)容。

4. 微電網(wǎng)系統(tǒng)：在微電網(wǎng)系統(tǒng)中，PCS儲能變流器能夠?qū)崿F(xiàn)分布式電源與儲能系統(tǒng)的協(xié)調(diào)控制，提高微電網(wǎng)的穩(wěn)定性和供電質(zhì)量。通過PCS儲能變流器的精確功率控制和智能能量管理，可以實現(xiàn)微電網(wǎng)系統(tǒng)中電源和負(fù)荷的平衡和優(yōu)化調(diào)度。

5. 電力系統(tǒng)調(diào)頻調(diào)峰：在電力系統(tǒng)中，PCS儲能變流器可以用于調(diào)頻調(diào)峰，提高電網(wǎng)的穩(wěn)定性和可靠性。當(dāng)電網(wǎng)負(fù)荷高峰時，PCS儲能變流器可以釋放儲能電池中的能量，為電網(wǎng)提供額外的功率支持；當(dāng)電網(wǎng)負(fù)荷低谷時，PCS儲能變流器則可以吸收電網(wǎng)中的多余能量，為儲能電池充電，以備后用。

PCS儲能變流器的發(fā)展趨勢

目前在大型儲能電站中普遍采用集中式PCS,一臺大功率PCS同時控制多簇并聯(lián)的電池，電池簇間的不均衡問題得不到有效的處理；而組串式PCS，一臺中小功率的PCS只控制一簇電池，實現(xiàn)一簇一管理，有效規(guī)避電池簇間的木桶效應(yīng)，提升系統(tǒng)壽命，提高全壽命周期放電容量，組串式PCS規(guī)模化應(yīng)用趨勢已見雛形，在工商業(yè)儲能一體柜中組串式PCS已成為行業(yè)主流方案，未來在大型儲能電站中也將實現(xiàn)大規(guī)模化應(yīng)用。

隨著新能源和智能電網(wǎng)的快速發(fā)展以及儲能技術(shù)的不斷進(jìn)步，PCS儲能變流器將面臨更大的發(fā)展機(jī)遇和挑戰(zhàn)。未來，PCS儲能變流器將朝著更高效、更智能、更靈活的方向發(fā)展。

IGBT模塊在十幾 kHz開關(guān)頻率中就會表現(xiàn)出嚴(yán)重的局限性，由于IGBT模塊尾電流導(dǎo)致?lián)p耗較大。使用 SiC-MOSFET模塊，開關(guān)頻率增加，從而減小了濾波器體積。SiC 模塊允許在數(shù)十和數(shù)百 kHz 的頻率下運行，開關(guān)損耗相對較低，從而顯著減少了濾波器和散熱熱系統(tǒng)的體積。這些技術(shù)進(jìn)步使變流器總體積大幅度減少，效率提高，從而能夠在較低溫度下運行并可能延長組件的使用壽命。

為了滿足PCS儲能變流器更高效的需求，使用基本公司碳化硅SiC模塊全面取代IGBT模塊，可以提升系統(tǒng)效率1%，有效提升客戶在PCS生命周期里的收益。SiC模塊全面取代IGBT模塊，從而將PCS儲能變流器開關(guān)損耗降低高達(dá) 70% 至 80%，在儲能變流器PCS應(yīng)用中碳化硅SiC模塊全面革掉IGBT模塊的命！

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基半BASiC一級代理商致力于SiC模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊，SiC單管在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT單管，650V SiC碳化硅MOSFET在電源應(yīng)用中全面取代Super Junction超結(jié)MOSFET!

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大組串IGBT光伏逆變器MPPT傳統(tǒng)上使用飛跨電容IGBT方案，控制復(fù)雜，頻率低，采用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?2000V系列SiC碳化硅MOSFET進(jìn)行兩電平改造，控制簡單可靠，頻率提升，電感成本降低，MPPT部分提升效率，降低成本。

IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗，從而提高開關(guān)頻率。進(jìn)一步的，可以優(yōu)化濾波器組件，相應(yīng)的損耗會下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關(guān)頻率提5倍（實現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。

未來隨著設(shè)備和工藝能力的推進(jìn)，更小的元胞尺寸、更低的比導(dǎo)通電阻、更低的開關(guān)損耗、更好的柵氧保護(hù)是SiC碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展方向，體現(xiàn)在應(yīng)用端上則是更好的性能和更高的可靠性。

為此，BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導(dǎo)通電阻、器件開關(guān)損耗，以及更高可靠性等優(yōu)越性能，可助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業(yè)電源、通信電源、伺服驅(qū)動、APF/SVG、熱泵驅(qū)動、工業(yè)變頻器、逆變焊機(jī)、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。

為滿足光伏儲能領(lǐng)域高電壓、大功率的應(yīng)用需求，BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?基于第二代SiC MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET，產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻、低導(dǎo)通損耗、低開關(guān)損耗、支持更高開關(guān)頻率運行等特點。

針對新能源汽車的應(yīng)用需求，BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?研發(fā)推出符合AEC-Q101認(rèn)證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要應(yīng)用在車載充電機(jī)及汽車空調(diào)壓縮機(jī)驅(qū)動中。

B3M040120Z是BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)的最新產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相對于上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性方面有更進(jìn)一步提升。

BMF240R12E2G3是BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級全碳化硅半橋功率模塊，產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。

B2M040120T和B2M080120T是BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?基于第二代碳化硅MOSFET技術(shù)開發(fā)的頂部散熱內(nèi)絕緣的塑封半橋模塊，主要應(yīng)用于OBC、空調(diào)壓縮機(jī)和工業(yè)電源中。

BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350系列，此驅(qū)動芯片專為碳化硅MOSFET門極驅(qū)動設(shè)計，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通，還可用于驅(qū)動MOSFET、IGBT等功率器件。

為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢，同時也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟(jì)效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術(shù)到達(dá)發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢。

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