項目名稱：大尺寸SiC單晶及其功率器件
項目編號：豫新工業高[2013]00047
備案機關意見：準予備案
政策規定依據：政策規定依據：政策規定依據：1、項目不屬于政府審批或核準的投資項目目錄；2、該項目符合《2011年產業結構調整目錄》中第一類（鼓勵類）十二（建材）第8條“信息、新能源、國防、航空航天等領域用高品質人工晶體材料”和二十八（信息產業）第22條“半導體、光電子器件、新型電子元器件等電子產品用材料”和42條“半導體照明襯底、外延、芯片、封裝及材料等”的規定，符合國家相關產業政策，沒有市場準入壁壘。
復核機關意見：同意備案機關意見
政策規定依據：符合產業政策
復核日期：2013-7-12 16：53：37
建設地點：新鄉經濟技術開發區緯七路與經九路交叉口東南角
主要建設內容：本項目建設地占地85畝，其中一期新建車間建筑面積3000平方米，已審核備案。項目采用工藝技術如下：大尺寸SiC單晶生長，SiC襯底加工及檢測，在襯底上進行厚外延層生長，進行SiC-IGBT器件設計 SiC-IGBT器件制備與封裝，產品檢驗、入庫，發貨。

建設單位：新鄉市神舟晶體科技發展有限公司
電話：0373-7121606